宗旨

氣體管路中的含氧程度會引起腐蝕性與易燃體產生化學變化,為確保管路與設備運作之品質,並依照半導體廠對製程氣體管路含氧量的要求來進行測試,因為晶片的生產過程將大氣的O2會和SI化學反應產生SIO2的氧化層來影響製程。

 

定義

氣體管路包含MAIN GAS PIPING含VMP/VMB/HOOK UP。
要利用純度高的PN2長時間的吹測管路用Purge方式,將微氧帶離管路,並在另一端接上分析儀進行檢測,將管路的含氧量監測到達客戶所規範的標準。
一般含氧標準會在100ppb以下,或依照業主規定。

 

使用設備

1.廠牌: DELTA-F

2.型號: DF-310

3.規格尺寸:

 

標準作業程序

• 使用經過purifire and 0.01μｍfilter的氣體吹淨。
• PN2的純度必須在10ppb以下。

• 將測試管路進氣孔接上氣源。
• 測試管路與盤面上的所有閥件都要打開。
• 使用設計壓力的氣源吹淨至少4小時以上,才能進行測試。

• 氣體要接上設備前的臨時管路要先吹淨10分鐘後接上,必須使用不鏽鋼316L EP管。
• 銜接上微氧分析儀後,打開分析儀器進行測試。
• 同時監控測試與purge直到達到標準,一般標準在100ppb以下。

• 測試紀錄要維持30分鐘的微氧分析報告。
• 如果吹淨時間不足,測試報告無法達標,則多放吹一天於隔天再監測分析儀器,直到達標。