宗旨

管路中含水份會導致腐蝕性氣體與水產生化學作用進而侵蝕管路的材料,為確保管路及設備運作的品質還有半導體廠對製程氣體管路含水份的要求進行測試,因為晶片的生產過程將大氣的H2O會和SI化學反應產生2H2O+SI=SIO2+2H2,其中二氧化矽的氧化層,如果水份過高會改變氧化層的厚度,而影響生產製程的品質。

 

定義

氣體管路包含MAIN GAS PIPING含VMP/VMB/HOOK UP
要利用純度高的PN2長時間的吹測管路用Purge方式,將水份帶離管路,並在另一端接上分析儀進行檢測,將管路的水份量監測到達客戶所規範的標準。
一般水份標準會在100ppb以下,或依照業主規定。

 

使用設備

1.廠牌:MEECO

2.型號:TRACER 2

3.規格尺寸:

 

 

標準作業程序

• 使用經過purifire and 0.01μｍ filter的氣體吹淨。
• PN2的純度必須在10ppb以下。

• 將測試管路進氣孔接上氣源。
• 測試管路與盤面上的所有閥件都要打開。
• 使用設計壓力的氣源吹淨至少4小時以上,才能進行測試。

• 氣體要接上設備前的臨時管路要先吹淨10分鐘後接上,必須使用不鏽鋼316L EP管。
• 銜接上微氧分析儀後,打開分析儀器進行測試。
• 同時監控測試與purge直到達到標準,一般標準在100ppb以下。

• 測試紀錄要維持30分鐘的微氧分析報告。
• 如果吹淨時間不足,測試報告無法達標,則多放吹一天於隔天再監測分析儀器,直到達標。